ON Semiconductor - FDS3692

KEY Part #: K6409631

FDS3692 Preços (USD) [217207pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18302
  • 2,500 pcs$0.18211

Número da peça:
FDS3692
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS3692 Atributos do produto

Número da peça : FDS3692
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 746pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)