Infineon Technologies - IRFI4110GPBF

KEY Part #: K6416972

IRFI4110GPBF Preços (USD) [21748pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.53011
  • 100 pcs$1.25454
  • 500 pcs$0.96378
  • 1,000 pcs$0.81283

Número da peça:
IRFI4110GPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI4110GPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFI4110GPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 290nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9540pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 61W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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