[13978pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQD1P50TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD1P50TM electronic components. FQD1P50TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD1P50TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD1P50TM Atributos do produto
Número da peça :
FQD1P50TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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