[12429pcs Estoque]
- Número da peça:
- STFI11NM65N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STFI11NM65N electronic components. STFI11NM65N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFI11NM65N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STFI11NM65N Atributos do produto
Número da peça :
STFI11NM65N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Series :
MDmesh™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAKFP (TO-281)
Pacote / caso :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
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