DMT10H015LSS-13 Preços (USD) [174505pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21196
- 2,500 pcs$0.18759
- Número da peça:
- DMT10H015LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 8.3A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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DMT10H015LSS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT10H015LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 8.3A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1871pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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