IXFT50N85XHV Preços (USD) [7165pcs Estoque]
- 1 pcs$6.32404
- 10 pcs$5.74937
- 100 pcs$4.88697
- 500 pcs$4.16830
- Número da peça:
- IXFT50N85XHV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFT50N85XHV electronic components. IXFT50N85XHV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT50N85XHV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT50N85XHV Atributos do produto
Número da peça :
IXFT50N85XHV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
850V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4480pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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