Vishay Siliconix - SUP90N06-6M0P-E3

KEY Part #: K6393697

SUP90N06-6M0P-E3 Preços (USD) [29408pcs Estoque]

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Número da peça:
SUP90N06-6M0P-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP90N06-6M0P-E3 Atributos do produto

Número da peça : SUP90N06-6M0P-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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