IPB180N04S401ATMA1 Preços (USD) [68107pcs Estoque]
- 1 pcs$0.57411
- 1,000 pcs$0.52669
- Número da peça:
- IPB180N04S401ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IPB180N04S401ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPB180N04S401ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
176nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
188W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-7-3
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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