PMZB350UPE,315 Preços (USD) [820075pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04533
- 10,000 pcs$0.04510
- Número da peça:
- PMZB350UPE,315
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMZB350UPE,315 electronic components. PMZB350UPE,315 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZB350UPE,315, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMZB350UPE,315 Atributos do produto
Número da peça :
PMZB350UPE,315
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
127pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1006B-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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