IXTH1N170DHV Preços (USD) [9949pcs Estoque]
- 1 pcs$4.14170
- Número da peça:
- IXTH1N170DHV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTH1N170DHV electronic components. IXTH1N170DHV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH1N170DHV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH1N170DHV Atributos do produto
Número da peça :
IXTH1N170DHV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3090pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
290W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247HV
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
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