FDN5618P Preços (USD) [491493pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07563
- 3,000 pcs$0.07526
- Número da peça:
- FDN5618P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDN5618P electronic components. FDN5618P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN5618P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN5618P Atributos do produto
Número da peça :
FDN5618P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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