HTNFET-D Preços (USD) [230pcs Estoque]
- 1 pcs$214.11918
- Número da peça:
- HTNFET-D
- Fabricante:
- Honeywell Aerospace
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-D electronic components. HTNFET-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-D Atributos do produto
Número da peça :
HTNFET-D
Fabricante :
Honeywell Aerospace
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Series :
HTMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs (máx.) :
10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 28V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-CDIP-EP
Pacote / caso :
8-CDIP Exposed Pad
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