IPW50R399CPFKSA1 Preços (USD) [1082pcs Estoque]
- 240 pcs$0.87130
- Número da peça:
- IPW50R399CPFKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 560V 9A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPW50R399CPFKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPW50R399CPFKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
560V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 330µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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