ON Semiconductor - FDPF17N60NT

KEY Part #: K6418165

FDPF17N60NT Preços (USD) [53898pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.32765
  • 1,000 pcs$1.32105

Número da peça:
FDPF17N60NT
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF17N60NT Atributos do produto

Número da peça : FDPF17N60NT
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Series : UniFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3040pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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