BSC0910NDIATMA1 Preços (USD) [95992pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40734
- 5,000 pcs$0.39102
- Número da peça:
- BSC0910NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 electronic components. BSC0910NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0910NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC0910NDIATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC0910NDIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 12V
Potência - Max :
1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TISON-8
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