ON Semiconductor - NVTFS4824NTWG

KEY Part #: K6405487

NVTFS4824NTWG Preços (USD) [1648pcs Estoque]

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Número da peça:
NVTFS4824NTWG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS4824NTWG Atributos do produto

Número da peça : NVTFS4824NTWG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1740pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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