STP10P6F6 Preços (USD) [54371pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71913
- 10 pcs$0.65015
- 100 pcs$0.52258
- 500 pcs$0.40644
- 1,000 pcs$0.31857
- Número da peça:
- STP10P6F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET P CH 60V 10A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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STP10P6F6 Atributos do produto
Número da peça :
STP10P6F6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
Series :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 48V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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