TK8R2A06PL,S4X Preços (USD) [58817pcs Estoque]
- 1 pcs$0.72749
- 50 pcs$0.58333
- 100 pcs$0.51042
- 500 pcs$0.39585
- 1,000 pcs$0.29562
- Número da peça:
- TK8R2A06PL,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK8R2A06PL,S4X Atributos do produto
Número da peça :
TK8R2A06PL,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSIX-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1990pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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