FDMS86202 Preços (USD) [60305pcs Estoque]
- 1 pcs$0.65162
- 3,000 pcs$0.64838
- Número da peça:
- FDMS86202
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 120V 8MLP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS86202 electronic components. FDMS86202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS86202 Atributos do produto
Número da peça :
FDMS86202
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 120V 8MLP
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4250pF @ 60V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Power56
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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