STD9HN65M2 Preços (USD) [171614pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21553
- 2,500 pcs$0.19186
- Número da peça:
- STD9HN65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STD9HN65M2 electronic components. STD9HN65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD9HN65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD9HN65M2 Atributos do produto
Número da peça :
STD9HN65M2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Series :
MDmesh™ M2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
325pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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