DMN1019USN-7 Preços (USD) [634042pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05834
- 3,000 pcs$0.05255
- Número da peça:
- DMN1019USN-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1019USN-7 electronic components. DMN1019USN-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1019USN-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1019USN-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN1019USN-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
50.6nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2426pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
680mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-59
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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