IXYS - IXFN38N100P

KEY Part #: K6397995

IXFN38N100P Preços (USD) [2499pcs Estoque]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

Número da peça:
IXFN38N100P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN38N100P Atributos do produto

Número da peça : IXFN38N100P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Series : HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 24000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1000W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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