Diodes Incorporated - DMT10H025LK3-13

KEY Part #: K6394180

DMT10H025LK3-13 Preços (USD) [266093pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13900

Número da peça:
DMT10H025LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H025LK3-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT10H025LK3-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 47.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1477pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.6W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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