Nexperia USA Inc. - PSMN3R3-80ES,127

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PSMN3R3-80ES,127 Preços (USD) [50791pcs Estoque]

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Número da peça:
PSMN3R3-80ES,127
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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ISO-45001-2018

PSMN3R3-80ES,127 Atributos do produto

Número da peça : PSMN3R3-80ES,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9961pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 338W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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