STMicroelectronics - STP140N6F7

KEY Part #: K6401957

STP140N6F7 Preços (USD) [33046pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.01097
  • 100 pcs$0.81233
  • 500 pcs$0.63180
  • 1,000 pcs$0.52349

Número da peça:
STP140N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP140N6F7 Atributos do produto

Número da peça : STP140N6F7
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
Series : STripFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 158W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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