SIA425EDJ-T1-GE3 Preços (USD) [12109pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.07418
- Número da peça:
- SIA425EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA425EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA425EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA425EDJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA425EDJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6
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