FDC855N Preços (USD) [396898pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09366
- 3,000 pcs$0.09319
- Número da peça:
- FDC855N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDC855N electronic components. FDC855N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC855N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDC855N Atributos do produto
Número da peça :
FDC855N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
655pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT™-6
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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