IRF6636TRPBF Preços (USD) [129139pcs Estoque]
- 1 pcs$0.55280
- 4,800 pcs$0.55005
- Número da peça:
- IRF6636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRF6636TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6636TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 81A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2420pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ ST
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric ST
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