FDG316P Preços (USD) [529955pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07014
- 3,000 pcs$0.06979
- Número da peça:
- FDG316P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDG316P electronic components. FDG316P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG316P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDG316P Atributos do produto
Número da peça :
FDG316P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
165pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-88 (SC-70-6)
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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