EPC2212 Preços (USD) [72608pcs Estoque]
- 1 pcs$0.53851
- Número da peça:
- EPC2212
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2212 electronic components. EPC2212 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2212, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2212 Atributos do produto
Número da peça :
EPC2212
Fabricante :
EPC
Descrição :
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
407pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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