EPC - EPC2212

KEY Part #: K6403378

EPC2212 Preços (USD) [72608pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.53851

Número da peça:
EPC2212
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2212 Atributos do produto

Número da peça : EPC2212
Fabricante : EPC
Descrição : AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 407pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
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