ZXMN2F30FHTA Preços (USD) [663036pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05579
- 3,000 pcs$0.05025
- Número da peça:
- ZXMN2F30FHTA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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ZXMN2F30FHTA Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN2F30FHTA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
452pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
960mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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