C2M0080120D Preços (USD) [5343pcs Estoque]
- 1 pcs$7.71225
- Número da peça:
- C2M0080120D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C2M0080120D electronic components. C2M0080120D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C2M0080120D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C2M0080120D Atributos do produto
Número da peça :
C2M0080120D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Series :
C2M™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 1000V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
192W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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