FDMS9409L-F085 Preços (USD) [123849pcs Estoque]
- 1 pcs$0.29865
- Número da peça:
- FDMS9409L-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- NMOS PWR56 40V 2.8 MOHM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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FDMS9409L-F085 Atributos do produto
Número da peça :
FDMS9409L-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
NMOS PWR56 40V 2.8 MOHM
Series :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
65A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3360pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6), Power56
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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