IXTA1N100 Preços (USD) [27164pcs Estoque]
- 1 pcs$1.67719
- 50 pcs$1.66884
- Número da peça:
- IXTA1N100
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA1N100 electronic components. IXTA1N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA1N100 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA1N100
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
54W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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