[12608pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFIBF20G
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFIBF20G electronic components. IRFIBF20G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIBF20G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFIBF20G Atributos do produto
Número da peça :
IRFIBF20G
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 720mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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