Infineon Technologies - IPSA70R1K4P7SAKMA1

KEY Part #: K6401680

IPSA70R1K4P7SAKMA1 Preços (USD) [126380pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29267

Número da peça:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R1K4P7SAKMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 400V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 158pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 22.7W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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