RQ3E075ATTB Preços (USD) [216885pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18853
- 3,000 pcs$0.18759
- Número da peça:
- RQ3E075ATTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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RQ3E075ATTB Atributos do produto
Número da peça :
RQ3E075ATTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
15W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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