Infineon Technologies - IPD350N06LGBTMA1

KEY Part #: K6409673

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Número da peça:
IPD350N06LGBTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD350N06LGBTMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD350N06LGBTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 28µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 68W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63