[13799pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHB38N02LT,118
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 electronic components. PHB38N02LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB38N02LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHB38N02LT,118 Atributos do produto
Número da peça :
PHB38N02LT,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
44.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.1nC @ 5V
Vgs (máx.) :
12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
57.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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