DMN2501UFB4-7 Preços (USD) [857993pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.03915
- Número da peça:
- DMN2501UFB4-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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DMN2501UFB4-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2501UFB4-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
82pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X2-DFN1006-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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