TK35E08N1,S1X Preços (USD) [110596pcs Estoque]
- 1 pcs$0.39086
- 50 pcs$0.38892
- Número da peça:
- TK35E08N1,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 55A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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TK35E08N1,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK35E08N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
72W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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