IXFP10N80P Preços (USD) [26989pcs Estoque]
- 1 pcs$1.68817
- 50 pcs$1.67977
- Número da peça:
- IXFP10N80P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXFP10N80P Atributos do produto
Número da peça :
IXFP10N80P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
Series :
HiPerFET™, PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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