DMN1053UCP4-7 Preços (USD) [519735pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07117
- Número da peça:
- DMN1053UCP4-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7 electronic components. DMN1053UCP4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1053UCP4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1053UCP4-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN1053UCP4-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
908pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.34W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X3-DSN0808-4
Pacote / caso :
4-XFBGA, CSPBGA
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