[3398pcs Estoque]
- Número da peça:
- TSM1NB60SCT B0
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 500MA TO92.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT B0 electronic components. TSM1NB60SCT B0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM1NB60SCT B0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM1NB60SCT B0 Atributos do produto
Número da peça :
TSM1NB60SCT B0
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
500mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-92
Pacote / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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