DMTH6016LFVW-7 Preços (USD) [325631pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11359
- Número da peça:
- DMTH6016LFVW-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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DMTH6016LFVW-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH6016LFVW-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
939pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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