Vishay Siliconix - SI1002R-T1-GE3

KEY Part #: K6401178

[7983pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI1002R-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1002R-T1-GE3 Atributos do produto

    Número da peça : SI1002R-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 610mA (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 8V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 220mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-75A
    Pacote / caso : SC-75A

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