Diodes Incorporated - DMTH3004LFGQ-13

KEY Part #: K6394304

DMTH3004LFGQ-13 Preços (USD) [301856pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12253

Número da peça:
DMTH3004LFGQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH3004LFGQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMTH3004LFGQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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