Infineon Technologies - IRLML2030TRPBF

KEY Part #: K6417391

IRLML2030TRPBF Preços (USD) [877970pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04213
  • 3,000 pcs$0.04041

Número da peça:
IRLML2030TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML2030TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLML2030TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Micro3™/SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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