Renesas Electronics America - RJK6018DPK-00#T0

KEY Part #: K6403949

[2181pcs Estoque]


    Número da peça:
    RJK6018DPK-00#T0
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 30A TO3P.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK6018DPK-00#T0 Atributos do produto

    Número da peça : RJK6018DPK-00#T0
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 200W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
    Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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