FDB16AN08A0 Preços (USD) [74271pcs Estoque]
- 1 pcs$0.52910
- 800 pcs$0.52646
- Número da peça:
- FDB16AN08A0
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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FDB16AN08A0 Atributos do produto
Número da peça :
FDB16AN08A0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1857pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
135W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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